1、场效应管（FET，Field Effect Transistor)电压产生的电场来控制管子工作的。

(相关资料图)

2、现在最常用的是MOSFET（M是金属，O是氧化物，S是半导体），三者恰好形成一个电容，中间的氧化物作为电容的电介质。

3、电子往电势高的地方（正极）流动聚集，空穴向电势低的地方（负极）流动聚集。

4、以N管为例：（1）在不加电源的情况下，源极和漏极都充满了电子，是N型半导体，而它们之间的衬底却是P型半导体，相当于两个反串的PN结，电阻很大。

5、也可以理解为两个导体被中间的衬底隔离开了。

6、此时无法导电。

7、（2）在栅极上加上一个正电压之后，这个电压在栅极和衬底之间形成了一个栅极指向衬底的电场，这个电场吸引电子，使电子在栅氧化层下方聚集，同时将空穴排斥开。

8、随着栅压的升高，电子的浓度越来越大，空穴浓度越来越小。

9、本来栅氧化层边缘的衬底为P型半导体，空穴浓度大于电子浓度，但是当栅极电压加到一定程度（Vth）时，电子的浓度开始超过空穴浓度，此时P型衬底变为N型衬底，也就是变成“沟道”将源极和漏极连起来了，此时就可以导电了。

10、（3）栅极的电压必须比源极或漏极高一个Vth，对应端的沟道才能导通，不然就会夹断。

11、导通部分电阻很小，夹断部分电阻非常大（即空间电荷区）。

12、（4）沟道两端同时夹断，就工作在截止区；只有一端夹断，就工作在饱和区；没有夹断，就工作在线性区。

13、截止区就相当于断开不工作，饱和区相当于一个电流源，线性区相当于一个电阻。

14、总之，场效应管就是靠这个“沟道”来工作的，没有“沟道”就休眠了。

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